幫助中心 | 我的帳號 | 關於我們
進階搜尋
car

同類熱銷排行榜

最近瀏覽的商品

半導體納米器件(物理技術和應用)(精)

  • 作者：編者:(英)大衛·A.里奇|責編:毛振威|譯者:段瑞飛
  • 出版社：化學工業
  • ISBN：9787122452795
  • 出版日期：2024/08/01
  • 裝幀：精裝
  • 頁數：302
人民幣：RMB 158 元      售價：元
放入購物車
加入收藏夾
內容大鋼
    隨著先進的集成電路工藝節點不斷向納米級推進，對半導體納米器件的研究就顯得越發重要。本書詳細介紹了半導體納米器件的物理學原理、結構、製造工藝及應用等內容。開篇介紹了這一研究領域在過去幾十年的發展；前半部分重點介紹電子納米器件，包括准一維電子氣、強電子相關的測量、量子點的熱電特性、單電子源、量子電流標準、電子量子光學、雜訊測量、拓撲絕緣體納米帶、硅量子比特器件等；後半部分介紹光電子納米器件，包括半導體量子點單光子源的電學控制、量子點太陽能電池、量子點激光器、納米線激光器，以及氮化物單光子源等內容。
    本書可供半導體器件、材料、物理相關科研人員和工程技術人員閱讀參考，也可作為高校相關專業的拓展學習資料。
作者介紹
編者:(英)大衛·A.里奇|責編:毛振威|譯者:段瑞飛
目錄
第1章  介紹、背景和內容
第2章  准一維電子氣
  2.1  介紹
  2.2  實驗
  2.3  一維器件的量子傳輸性質
    2.3.1  冷卻
    2.3.2  橫向電子聚焦
    2.3.3  通過橫向電子聚焦的自旋排斥
    2.3.4  多體效應和基態維格納晶體
    2.3.5  跨雙行的源極-漏極偏壓
    2.3.6  面內磁場對雙行的影響
    2.3.7  無磁場分數態
    2.3.8  載流子密度變化的影響
    2.3.9  面內磁場的影響
    2.3.10  具有分數態的非線性傳輸
  參考文獻
第3章  半導體納米器件作為強電子相關的測量
  3.1  費米液體理論的失效
    3.1.1  朝永-盧廷格液體模型
    3.1.2  自旋朝永-盧廷格液體
    3.1.3  譜函數和冪律行為
  3.2  朝永-盧廷格液體行為的早期研究
    3.2.1  光電子能譜
    3.2.2  輸運測量
    3.2.3  磁隧穿譜
  3.3  超越線性朝永-盧廷格液體近似
    3.3.1  非線性朝永-盧廷格液體的移動雜質模型
    3.3.2  遠離費米點的模式層次
  3.4  非線性效應研究進展
    3.4.1  一維「複製品」模式
    3.4.2  動量相關的冪律
    3.4.3  高能量下自旋子和空穴子的壽命
    3.4.4  非線性碳納米管
  3.5  一維相互作用效應其他進展
    3.5.1  庫侖阻力
    3.5.2  螺旋電流
    3.5.3  冷原子
  3.6  小結
  參考文獻
第4章  量子點熱電特性
  4.1  熱電的Landauer-B?ttiker唯象理論
  4.2  量子點模型
  4.3  量子極限
  4.4  庫侖振蕩和熱電勢
  4.5  簡並的影響
  4.6  功率因子和品質因數
  4.7  對維德曼-弗蘭茲定律的違背
  4.8  非線性區域
  4.9  輸出功率和效率
  4.10  應用

  4.11  小結
  參考文獻
第5章  單電子源
  5.1  單電子源的類型
    5.1.1  旋轉柵量子點單電子轉移
    5.1.2  多結單電子泵
    5.1.3  超導體-普通金屬混合旋轉柵
    5.1.4  表面聲波單電子轉移
    5.1.5  可調諧勢壘量子點泵
    5.1.6  介觀電容器
    5.1.7  懸浮子
  5.2  量子電流標準
    5.2.1  SI安培的實現
    5.2.2  量子計量三角
    5.2.3  多結泵電容器充電實驗
    5.2.4  可調諧勢壘泵的電流量化精度
  5.3  電子量子光學
    5.3.1  漢伯里·布朗和特維斯幾何結構中的分區雜訊測量
    5.3.2  Hong-Ou-Mandel效應的不可區分性測試
    5.3.3  量子層析成像
    5.3.4  波包傳輸中的退相干和弛豫
  5.4  小結
  參考文獻
第6章  半導體納米器件的雜訊測量
  6.1  介紹
  6.2  量子散粒雜訊的物理學
    6.2.1  量子散粒雜訊的二項式統計
    6.2.2  散粒雜訊的量子散射方法
  6.3  雜訊測量技術
    6.3.1  低頻散粒雜訊測量技術
    6.3.2  高頻散粒雜訊測量技術
  6.4  半導體納米器件中的散粒雜訊
    6.4.1  散粒雜訊的量子抑制
    6.4.2  散粒雜訊中的高頻效應
    6.4.3  分數量子霍爾效應：分數電荷的散粒雜訊測量
    6.4.4  使用散粒雜訊測量研究雙粒子相關性和干涉
    6.4.5  用於電子量子光學的散粒雜訊測量
  6.5  結論
  參考文獻
第7章  拓撲絕緣體納米帶中的電學輸運和超導輸運
  7.1  介紹
  7.2  TI中的電學輸運概述
    7.2.1  電導率的溫度依賴性
    7.2.2  垂直磁場中的3D TI
  7.3  TI納米帶中的電學輸運
  7.4  TI納米帶中的超導輸運
    7.4.1  TI納米帶中臨界電流的溫度依賴性
    7.4.2  TI納米帶約瑟夫森結中的Aharonov-Bohm效應
  7.5  總結與展望
  參考文獻

第8章  硅量子比特器件
  8.1  介紹
    8.1.1  摩爾定律
    8.1.2  量子計算
    8.1.3  量子計算平台
    8.1.4  關於本章
  8.2  加工製造
    8.2.1  硅主體材料
    8.2.2  硅-金屬氧化物半導體（Si-MOS）
    8.2.3  Si/SiGe
    8.2.4  SOI
  8.3  硅自旋量子比特
    8.3.1  單自旋量子比特
    8.3.2  單重態-三重態量子比特
    8.3.3  自旋讀出
  8.4  未來發展
  參考文獻
第9章  半導體量子點單光子源的電學控制
  9.1  介紹與動機
  9.2  單量子點光子源的二極體設計
    9.2.1  用於量子點電場控制的異質結構
    9.2.2  提高單量子點光子收集效率的異質結構
  9.3  量子點內部能級控制
    9.3.1  中性躍遷的電場控制
    9.3.2  帶電躍遷的電場控制
  9.4  量子點控制的混合方法
    9.4.1  可調諧電致發光量子點光源
    9.4.2  採用可調光源結合相干光控制
    9.4.3  應變和電場可調量子點
  9.5  未來發展
  參考文獻
第10章  半導體量子點太陽能電池
  10.1  介紹
  10.2  QD-IBSC中量子效率的漂移-擴散分析
    10.2.1  介紹
    10.2.2  模擬方法
    10.2.3  結果與討論
  10.3  使用場阻尼層提高QDSC中的載流子收集效率
    10.3.1  使用場阻尼層的QDSC能帶結構工程
    10.3.2  寬禁帶材料蓋帽對使用FDL的QDSC的影響
  10.4  QDSC中TSPA過程的FTIR光譜
    10.4.1  兩步光吸收光譜
    10.4.2  In（Ga）As QDSC的FTIR光電流光譜
    10.4.3  In（Ga）As QDSC的二維光電流激發光譜
  10.5  結論
  參考文獻
第11章  硅上單片Ⅲ-Ⅴ族量子點激光器
  11.1  介紹
  11.2  硅上量子點激光器的優勢
    11.2.1  半導體量子點

    11.2.2  硅基激光器中量子點優於量子阱的優勢
  11.3  硅上Ⅲ-Ⅴ族材料的異質外延生長
    11.3.1  異質外延生長的挑戰
    11.3.2  高質量Ⅲ-Ⅴ/Si外延的解決方案
  11.4  硅上Ⅲ-Ⅴ族量子點激光器的現狀
    11.4.1  硅上法布里-珀羅邊發射激光器
    11.4.2  硅上的單模量子點邊發射激光器
    11.4.3  硅上的量子點鎖模激光器
    11.4.4  硅上的量子點微腔激光器
    11.4.5  硅上的量子點光子晶體激光器
  11.5  硅上量子點激光器的未來發展方向
  11.6  結論
  參考文獻
第12章  半導體納米線激光器的物理和應用
  12.1  介紹
  12.2  激光器
    12.2.1  激光基礎
    12.2.2  納米級激光器腔體設計
    12.2.3  激光閾值
  12.3  作為激光器元件的納米線
    12.3.1  納米線生長
    12.3.2  納米線激光器用材料體系
  12.4  納米線激光器技術的當前課題
    12.4.1  量子限制
    12.4.2  光耦合
    12.4.3  等離激元
  12.5  現狀和前景
  參考文獻
第13章  氮化物單光子源
  13.1  介紹
    13.1.1  單光子源的概念
    13.1.2  單光子源的關鍵測量
    13.1.3  「理想」單光子源的基本特性
  13.2  量子點製備基本原理
    13.2.1  平面上的自組裝
    13.2.2  納米棒的自組裝
    13.2.3  量子點形成的光刻方法
  13.3  用於單光子發射的量子點基本性質
    13.3.1  三維限制的物理學
    13.3.2  Ⅲ族氮化物量子點的特殊性質和針對單光子發射的思考
  13.4  氮化物量子點單光子源的優缺點
  13.5  基於氮化物中缺陷的單光子源
  13.6  展望
  參考文獻
附錄  中英文術語對照

  • 商品搜索：
  • | 高級搜索
首頁│ 新手上路│ 客服中心│ 關於我們│ 聯絡我們│ Top↑│
Copyrightc 1999~2008 美商天龍國際圖書股份有限公司 臺灣分公司. All rights reserved.
營業地址:臺北市中正區重慶南路一段103號1F 105號1F-2F
讀者服務部電話：02-2381-2033 02-2381-1863　時間：週一-週五 10:00-17:00
　服務信箱：bookuu@69book.com 客戶、意見信箱:cs@69book.com
ICP證：浙B2-20060032